10-06-2024
Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН) |
|
Основан | |
---|---|
Директор |
Ратахин Николай Александрович, профессор[1] |
Сотрудников |
130[2] |
Расположение | |
Юридический адрес |
634055, Томск, пр. Академический, 2/3 |
Сайт |
http://www.hcei.tsc.ru |
Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук. Расположен в Томске.
Содержание |
Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы.[3]
Институт был создан в 1977 году в Томском Академгородке. [2]
Институт возглавляли:[2]
В составе института следующие научные подразделения:[4]
Институт сильноточной электроники со ран адрес, институт сильноточной электроники со ран томск инн, институт сильноточной электроники со ран сайт, институт сильноточной электроники со ран якутск.
Орден «Знак Почёта», Дерижанов, Сергей Мартынович.