04-05-2023
Игорь Всеволодович Грехов | ||||||||
Дата рождения: |
10 сентября 1934 (78 лет) |
|||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Место рождения: | ||||||||
Страна: | ||||||||
Научная сфера: | ||||||||
Место работы: | ||||||||
Учёная степень: | ||||||||
Учёное звание: | ||||||||
Награды и премии |
|
И́горь Все́володович Гре́хов (род. 10 сентября 1934, Смоленск) — советский и российский физик. Академик РАН (с 2008 года). Руководитель Отделения твердотельной электроники Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН.
Специалист в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники. Имеет более 1300 цитирований своих научных работ. Индекс Хирша — 15[1].
Содержание |
В 1960—1975 годах занимался созданием новой отрасли промышленности — силового полупроводникового приборостроения, за что был в 1966 году награждён Ленинской премией. Его исследования в эой области позволили создать принципиально новые полупроводниковые приборы, позволившие получать на порядок большую импульсную мощность. Это достижение легло в основу нового направления в технике — силовой полупроводниковой импульсной энергетики. За цикл работ по этому направлению Грехов был удостоен в 1987 году Государственной премии СССР. А за дальнейшее развитие темы — и Государственной премии РФ в 2002 году.
В середине 2000-х под руководством Грехова была выполнена разработка и организация производства нового поколения силовых диодов и тиристоров. Это достижение было отмечено в 2008 году премией Правительства РФ.
Под руководством И. В. Грехова защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников 10 докторов наук.
В 1991 году избран членом-корреспондентом РАН, академик РАН c 2008 года.
Грехов, Игорь Всеволодович.